| 型号：IDT71V65603S150BQ8 | 类别：存储器 | 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 封装：165-TBGA | 描述：IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA |
| 系列 | - |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 格式_存储器 | RAM |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量 | 9M（256K x 36） |
| 速度 | 150MHz |
| 接口 | 并联 |
| 电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 165-TBGA |
| 供应商器件封装 | 165-CABGA（13x15） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道） |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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2010（5025 公制）
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 20K OHM 1/3W 5% 1206 SMD
- CRCW20101K00JNEF
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2010（5025 公制）
RES 1.0K OHM 3/4W 5% 2010 SMD
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Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2010（5025 公制）
RES 1.02K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 220 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
- CRCW20101K10FKEF
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2010（5025 公制）
RES 1.10K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
- ESR18EZPJ221
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 220 OHM 1/3W 5% 1206 SMD
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2010（5025 公制）
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2010（5025 公制）
RES 1.1K OHM 1W 5% 2010 SMD
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1206（3216 公制）
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2010（5025 公制）
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芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
2010（5025 公制）
RES 1.18K OHM 1W 1% 2010 SMD
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2010（5025 公制）
RES 1.21K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
- H3BXT-10106-W6-ND
跳线，预压接线
Hirose Electric Co Ltd
JUMPER-H1504TR/A3049W/X 6＂
- ICS844202AK-245LFT
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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